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美光公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术，从而进一步降低生产DRAM存储芯片的单层成本。美光在近日演讲中表示，由于光学系统本身性质，DRAM层的图案很难用光学光刻技术进行印刷，而纳米打印方式可以用更精细的方式打印出来，且鉴于纳米印刷技术应用成本是沉浸式光刻技术的五分之一，因此是非常不错的解决方案。佳能于2023年10月公布FPA-1200NZ2C纳米压印光刻（NIL）半导体设备，预计最快将于今年出货，将为芯片生产开辟了一条新的途径。此前，内存大厂SK海力士也引入了佳能纳米压印机，用于进行3D NAND的生产测试。

纳米压印是一种微纳加工技术，它采用传统机械模具微复型原理，能够代替传统且复杂的光学光刻技术。相较于目前已商用化的EUV光刻技术，纳米压印技术可大幅减少耗能，并降低设备成本。另外，纳米压印设备还可以使得芯片制造商降低对于ASML的EUV光刻机的依赖，使得台积电、三星等晶圆代工厂可以有第二个路线选择，可以更灵活地为客户生产小批量芯片。分析师认为，纳米压印技术在特定领域有替代传统光学光刻的可能，随着下游应用领域扩大以及该技术渗透率提升，该市场有望持续成长。

佳能于2023年10月发布了FPA-1200NZ2C纳米半导体印刷（NIL）设备。公司社长御手洗富士夫表示，纳米半导体印刷技术的推出为小型半导体制造商提供了生产先进芯片的新途径。半导体设备业务经理岩本和德进一步解释称，纳米半导体印刷是指将带有半导体电路图的光罩压印至晶圆上，通过单一的印记就能在适当的位置形成复杂的2D或3D电路图。只需对光罩进行改进，甚至有能力生产2纳米芯片。