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半导体存储器包含易失性存储器（DRAM和SRAM）和非易失性存储器（EPROM、EEPROM和FRAM等）两类。前者在断电后会因失去记忆而无法存储数据，后者即使在切断电源的情况下也能够保持数据的稳定。因此，铁电存储器（FRAM）作为一款集ROM的非易失性存储性和RAM的无限次高速读写优势于一体的存储工艺，已成为常用的一种存储工艺之一。

OEM常根据FRAM的性能优势，对耗材芯片以及打印机进行升级，为确保芯片在应对OEM的升级中能持续有效的工作，大部分通用耗材芯片方案商在尚未完全获得关于FRAM的存储工艺技术之前，都不得不采用性能与FRAM更相接近的SRAM存储工艺。但该方案的局限性在于SRAM的易失性存储技术，需要持续稳定的电源支持才能有效的保存数据，当电池受到外部因素（松动、静电刺激，电池寿命用尽等）影响时，芯片将因失去电源的支持而引发内部数据丢失的风险。

面对SRAM工艺带来的局限性，旗捷团队在原有芯片方案的基础上进行升级，最终选定了集数据非易失性、无限次擦写、长寿命、低功耗等优势于一体的MRAM磁随机存储器，并将该技术应用于本次推出的新品——兄弟不带电池系列产品。

MRAM技术优势

通过对比可以看到MRAM技术在存储工艺、芯片稳定性、运输等方面与FRAM的技术相距甚微，甚至在某些方面比FRAM更胜一筹。MRAM的非易失性存储技术作为旗捷即将推出的兄弟不带电池系列新品的主要工艺，它能够在不需要电源的情况下将芯片内容保留至少10年，用户再也无需担心因断电而发生芯片失效的情况，也减轻了装配空间局限还要将电池塞进特定的区域而产生的装配苦恼。目前，旗捷全新不带电池系列产品已正式对外推送，欢迎大家进行咨询与选购。

安装视频

兄弟不带电池系列通用芯片

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